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半導(dǎo)體關(guān)鍵材料

●  公司掌握高純?yōu)R射靶材的一條龍生產(chǎn)核心技術(shù),在河南鄭州本部已經(jīng)建成高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)線,產(chǎn)品工藝達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

●  公司鄭州占地200畝(一期50畝)的集成電路產(chǎn)業(yè)園正在建設(shè)中,未來將投產(chǎn)新的靶材產(chǎn)線。

●  2021年公司完成對新加坡某半導(dǎo)體核心材料制造商的全資并購,靶材產(chǎn)品進(jìn)入臺積電、格羅方德等優(yōu)質(zhì)客戶。

    ·  國產(chǎn)替代;

    ·  知名廠商認(rèn)證通過;

    • Ru及其合金靶材

    1.集成電路阻擋層;2.PMOS器件的跡電極材料;3.動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM和鐵電隨機(jī)存取存儲器FRAM中電容的電極材料;4.應(yīng)用在磁性隨機(jī)存儲器MRAM中;5.硬盤記錄層不可或缺的底層材料。

    • 氧化鎂靶

    • 氧化鎂具有高溫?zé)岱€(wěn)定性、高介電性、低介電損耗及多種襯底晶格匹配良好等優(yōu)點(diǎn),是作為存儲芯片的主要原料之一。
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    • 鐵鈷硼靶

    • MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器,其主體結(jié)構(gòu)由三層結(jié)構(gòu)的磁隧道結(jié)構(gòu)成:自由層,固定層和氧化層,其原理是通過改變固定層和自由層的磁矩方向性實(shí)現(xiàn)存儲數(shù)據(jù)。其中自由層的材料是CoFeB。
    • Mg靶

    • 鎂是近年來可以制備并能夠在自然環(huán)境中長期保存的輕質(zhì)金屬,金屬鎂在各個(gè)行業(yè)內(nèi)的應(yīng)用也越來越廣泛,很多國防產(chǎn)品、民用產(chǎn)品都在不同程度上用到了金屬鎂Mg靶材是作為存儲芯片的主要原料之一。
    • NiPt靶

    • 用于制備NiPt-硅化物觸頭,該觸頭是45nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)以后最常用的硅化物。被應(yīng)用于肖特基二極管(SBD)、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體器件(CMOS)、場效應(yīng)晶體管(FET)和集成電路等領(lǐng)域。
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